Чипы для автономного ИИ на шаг ближе

 

Samsung Electronics готова запустить процесс 3D-упаковки чипов в 2024 году. Этот инновационный подход предполагает вертикальное размещение разнородных полупроводников, что является ознаменованием новой эпохи высокопроизводительных микросхем искусственного интеллекта с низким энергопотреблением.

 

В отличие от традиционного горизонтального размещения чипов, 3D-упаковка предусматривает укладку транзисторов вертикально. Эта конфигурация способствует более быстрой обработке данных между полупроводниками и значительно повышает энергоэффективность. необходимость функционирования ИИ требует как можно более энергосберегающих технологий, и пространственная упаковка пригодилась.

 

Движущей силой этой инициативы есть использование передовой технологии SAINT (передовая технология взаимосвязи Samsung). Этот инновационный процесс подразумевает соединение разных типов чипов для слаженной работы как единого блока. В отличие от обычного горизонтального расположения, 3D-упаковка отличается вертикальным расположением микросхем.

 

Компания Samsung Electronics успешно завершила техническую проверку SAINT (Samsung Advanced Interconnection Technology). Она заключается в укладке SRAM, которая служит временным хранилищем данных, поверх процессора. Samsung планирует завершить проверку технологии SAINT-D в будущем году. SAINT-D подразумевает размещение DRAM для хранения данных поверх CPU и GPU. В разработке находится SAINT-L, предназначенная для размещения дополнительных сопроцессоров.

 

Новый процесс производства в частности будет применяться для создания чипов, способных запускать модели ИИ на отдельном устройстве. Конкуренты Samsung тоже не стоят на месте. TSMC, UMC и Intel также соревнуются за разработку передовых технологий упаковки. TSMC предлагает услугу 3D упаковки SoIC, которая обслуживает таких крупных игроков, как Apple и NVIDIA. Intel использует Foveros, собственную технологию 3D-упаковки, для массового производства.

 

Источники: Sparrows News, Samsung